2024
05-31
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速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发 NEW
快科技5月31日消息，三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力，并已开始向智能手表等终端产品供货。根据此前报道，三星电子曾计划...
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