2026
10-24
10-24
DUV光刻机立功！中国芯片的EUV替代方案：三次曝光追平一次EUV NEW
快科技10月24日消息，据报道，在EUV光刻机受限的背景下，中国芯片制造商正将DUV多重曝光技术的潜力压榨到极限。最新拆解数据显示，中国厂商在不使用EUV的情况下，已经实现了5nm级工艺的量产，DUV光刻机正在这场突围中扮演核心角色。 某厂商的第三代7nm级N+3工艺的实测指标令人侧目。在对一款中国芯片的拆解中，N+3的最小金属间距仅为32.5nm，比英特尔18A工艺在Panther Lake上使用的36nm间距还要紧凑约10%。晶体管密度达到约113.4 M...
Read More >