2024
06-16
06-16
可量产0.2nm工艺！ASML公布Hyper NA EUV光刻机：死胡同不远了 NEW
快科技6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm...
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